<td id="5svrh"><ruby id="5svrh"></ruby></td>

    1. <track id="5svrh"></track>
            <acronym id="5svrh"></acronym><big id="5svrh"></big>
            <object id="5svrh"></object>
            <track id="5svrh"><del id="5svrh"></del></track>

            台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺迈向1nm

            2021-02-19 14:30:54   来源:新浪VR

              在ISSCC 2021国际固态电路会议上,台积电联席CEO刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况,指出3nm工艺超过预期,进度将会提前。

              不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的,按照他们公布的信息,3nm工艺是今年下半年试产,2022年正式量产。

              与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同,台积电的第一代3nm工艺比较保守,依然使用FinFET晶体管。

              与5nm工艺相比,台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。

              不论是5nm还是3nm工艺,甚至未来的2nm工艺,台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高,但是产能依然是EUV光刻的难题,而且能耗也很高。

              刘德音提到,台积电已经EUV光源技术获得突破,功率可达350W,不仅能支持5nm工艺,甚至未来可以用于1nm工艺。

              按照台积电提出的路线图,他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律,2年升级一代新工艺,而10年则会有一次大的技术升级。

            新浪声明:新浪网登载此文出于传递更多信息之目的,并不意味着赞同其观点或证实其描述。

            微博

            HOT RECOMMEND

            关于新浪VR | 论坛社区

            Copyright © 1996-2015 SINA Corporation, All Rights Reserved 京ICP证000007  京网文【2017】10231-1157号

            北京幻世新科网络科技有限公司 版权所有

            看a片_看片的网站_看片软件_看片_天天看片天天av免费观看 <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <蜘蛛词>| <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链> <文本链>